Оперативная память DDR4

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 4 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 4 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 12800 Мб/с

CAS Latency (CL): 9

Напряжение питания: 1.5 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 4 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 8 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 19

RAS to CAS Delay (tRCD): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 8 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 19

RAS to CAS Delay (tRCD): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 8 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 8 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 8 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

RAS to CAS Delay (tRCD): 18

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 19

RAS to CAS Delay (tRCD): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 18

RAS to CAS Delay (tRCD): 18

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 2

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 19

RAS to CAS Delay (tRCD): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

RAS to CAS Delay (tRCD): 20

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 18

RAS to CAS Delay (tRCD): 24

Напряжение питания: 1.35 В

Поддержка XMP : да

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 21300 Мб/с

CAS Latency (CL): 19

RAS to CAS Delay (tRCD): 19

Напряжение питания: 1.2 В

Поддержка XMP : да

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 2

Пропускная способность: 28800 Мб/с

CAS Latency (CL): 18

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

Напряжение питания: 1.35 В

Поддержка XMP : да

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 16 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

RAS to CAS Delay (tRCD): 18

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 32 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 32 Гб

Количество модулей в комплекте: 2

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

RAS to CAS Delay (tRCD): 18

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 32 Гб

Количество модулей в комплекте: 2

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 32 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 22

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 32 Гб

Количество модулей в комплекте: 2

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

RAS to CAS Delay (tRCD): 18

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 32 Гб

Количество модулей в комплекте: 1

Пропускная способность: 25600 Мб/с

CAS Latency (CL): 18

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

Напряжение питания: 1.35 В

Тип памяти: DDR4

Объём памяти : 32 Гб

Количество модулей в комплекте: 2

Пропускная способность: 28800 Мб/с

CAS Latency (CL): 16

RAS to CAS Delay (tRCD): 19

Напряжение питания: 1.35 В